SOURCE: 4DS, Inc.

11 févr. 2009 08h12 HE

La mémoire non volatile de 4DS bouleverse le marché représentant 60 milliards de dollars

FREMONT, CA--(Marketwire - February 11, 2009) - 4DS, inc. recherche activement des partenaires pour produire son prototype de mémoire non volatile à faible coût ; il s’agit d’une mémoire de type RRAM (Resistive Random Access Memory) dont la fabrication peut se réaliser en réduisant le nombre d’étapes de mémoires caches nécessaires dans les technologies de mémoire comparables. La mémoire non volatile RRAM de 4DS, inc. qui est une mémoire révolutionnaire, combine la densité des mémoires FLASH et la rapidité des DRAM, et est fabriquée selon un procédé propriétaire qui peut facilement se répliquer dans des usines de fabrication de semi-conducteurs.

« La mémoire de 4DS a le potentiel de remplacer toutes les mémoires à semi-conducteurs et peut être fabriquée en une fraction de la procédure qui consiste à utiliser plusieurs niveaux de cache ; elle est supérieure à la technologie CMOS (complementary metal oxide semiconductor) tout comme les technologies de mémoire comparables : FLASH et DRAM », a déclaré Kurt Pfluger, PDG de 4DS, inc. « Les méthodes de 4DS utilisent les procédés de semi-conducteurs existants et nécessitent peu de modifications à effectuer sur l’équipement de fabrication de semi-conducteurs, ce qui permet une fabrication simple par le biais d'une technologie dotée d’un plus grand potentiel de développement que la technologie NAND ou NOR FLASH. »

« S’associer à un leader de l'industrie permettra de saisir l’occasion de remplacer le marché de la mémoire à semi-conducteurs représentant 60 milliards de dollars par des applications de mémoire embarquées », a déclaré Pfluger.

Le RRAM de 4DS, inc. est une mémoire non-volatile de haute capacité, avec des temps de commutation mesurés de 5 ns et une endurance de plus d’un milliard de cycles d'écriture et de lecture. Parmi les technologies de mémoire, RRAM a le potentiel d’arriver en tête du peloton. La cellule RRAM présente un courant d'écriture inférieur à celui des mémoires PRAM ou MRAM sans pour autant sacrifier le rendement, le maintien ou l'endurance. Par rapport au PRAM, RRAM fonctionne à un temps d’accès plus rapide, alors que par rapport à la cellule MRAM, celle de RRAM a une structure plus simple et plus petite (MRAM = 16F carrés et 4DS = 4F carrés). Par rapport à la mémoire FLASH et la mémoire Racetrack, RRAM nécessite des tensions basses et des courants inférieurs permettant l'utilisation d’applications à faible consommation.

À propos de 4DS, Inc

4DS, inc. est une société de production de mémoires à semi-conducteurs non volatiles située dans la Silicon Valley. La prochaine génération de mémoires que produit 4DS, inc. offre une haute capacité, une haute performance et un faible coût. 4DS a mis au point un nouveau procédé, peu coûteux pour la production de masse de la mémoire. La mémoire non volatile RRAM de 4DS, inc. est une mémoire révolutionnaire ; elle est fabriquée selon un procédé propriétaire qui peut facilement se répliquer dans des usines de fabrication de semi-conducteurs.

4DS, inc. est une société américaine privée située à Fremont, en Californie, et est une filiale de 4D-S Pty Ltd, une société australienne. Pour obtenir plus d’informations, veuillez consulter le site suivant : www.4-D-S.com

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