SOURCE: 4DS, Inc.

February 11, 2009 15:43 ET

Memoria no volátil de 4DS irrumpe en el mercado de memorias de US$60.000 millones

FREMONT, CA--(Marketwire - February 11, 2009) - 4DS, Inc. está buscando socios para producir su memoria no volátil de bajo coste, un tipo de Memoria de Acceso Aleatorio Resistivo (RRAM) que puede fabricarse usando una cantidad significativamente menor de pasos de máscara que las tecnologías de memoria similares. La revolucionaria memoria no volátil RRAM de 4DS, Inc. muestra la densidad de la memoria FLASH con la velocidad de DRAM, y se fabrica utilizando un proceso de marca registrada que puede ser fácilmente adoptado por los fabricantes de semiconductores existentes.

"La memoria de 4DS tiene el potencial de reemplazar todas las memorias de semiconductores existentes y puede fabricarse en una fracción del proceso de pasos de máscara en comparación con los CMOS estándar de las tecnologías de memoria comparables, como FLASH y DRAM," dijo Kurt Pfluger, CEO de 4DS, Inc. "El método de 4DS utiliza procesos de semiconductores ya existentes y requiere menos cambios en el equipo de fabricación de semiconductores, permitiendo una fabricación sencilla a través de una tecnología que puede escalarse mucho más rápido que NAND o NOR FLASH".

"Asociarnos con un líder en el sector permitirá acortar el camino para desplazar el mercado de memoria de semiconductores de US$ 60.000 millones y también alojar aplicaciones de memoria incluidas", añadió Pfluger.

RRAM de 4DS Inc. es una memoria no volátil de alta capacidad con altas velocidades de conmutación medidas por debajo de 5ns y con una resistencia de 1000 millones de ciclos de escritura/lectura. RRAM tiene el potencial de convertirse en el líder de las tecnologías de memoria. RRAM muestra menores Corrientes de programación que PRAM o MRAM sin renunciar al rendimiento en la programación, la retención o la resistencia. Comparada con PRAM, RRAM opera a una escala de tiempo mucho más rápida, y si se compara con MRAM, tiene una estructura de células mucho más simple y pequeña (MRAM = 16F cuadrados 4DS = 4F cuadrados). Comparada con la memoria FLASH y la memoria Racetrack, RRAM necesita menor voltaje y menores corrientes, y permite el uso en aplicaciones de baja potencia.

Acerca de 4DS, Inc.

4DS, Inc. es una compañía de memoria de semiconductores no volátiles situada en Silicon Valley, California, EE.UU. 4DS, Inc. produce la próxima generación de productos de memoria que ofrecen alta capacidad, alto rendimiento y bajo coste. 4DS ha desarrollado un nuevo y económico proceso de producción en masa. La revolucionaria memoria RRAM de 4DS, Inc. se fabrica utilizando un proceso de marca registrada que puede ser adoptado con facilidad por los fabricantes de semiconductores actuales.

4DS, Inc. es una compañía privada estadounidense localizada en Fremont, California y es una subsidiaria de 4D-S Pty Ltd, una compañía australiana. Para más información, visite www.4-D-S.com.

Contact Information