SOURCE: 4DS, Inc.

February 11, 2009 10:41 ET

Nichtflüchtiger Speicher von 4DS wird den 60 Mrd. USD schweren Markt umwälzen

FREMONT, KALIFORNIEN--(Marketwire - February 11, 2009) - 4DS, Inc. ist auf der aktiven Suche nach Partnern, um den kostengünstigen, nichtflüchtigen Halbleiterspeicher, eine Art RRAM (Resistive Random Access Memory) zu produzieren, bei dessen Herstellung wesentlich weniger Maskenschritte als bei herkömmlichen Speichertechnologien notwendig sind. 4DS, Inc.s revolutionärer, nichtflüchtiger RRAM-Speicher verfügt über die Dichte von FLASH-Speicher, die Geschwindigkeit von DRAM und wird mithilfe eines firmeneigenen Verfahrens hergestellt, das sich sehr leicht auf vorhandene Halbleiteranlagen übertragen lässt.

„4DS-Speicher kann prinzipiell alle existierenden Halbleiterspeicher ersetzen und wird im Gegensatz zu vergleichbaren Speichertechnologien wie FLASH und DRAM mit nur einem Bruchteil der zusätzlichen Maskenschritte gegenüber Standard-CMOS hergestellt“, sagte Kurt Pfluger, CEO von 4DS, Inc. „Das 4DS-Verfahren nutzt vorhandene Halbleiterverfahren und erfordert nur geringe Änderungen an der Halbleiterproduktionsanlage. Die Herstellung ist dank eines Verfahrens, das sehr viel weiter hochskaliert werden kann als NAND oder NOR FLASH, sehr einfach.“

„Die Partnerschaft mit einem Branchenführer böte die Gelegenheit, den 60 Mrd. USD schweren Halbleiterspeichermarkt mit einem Schlag umzuwälzen und den der eingebetteten Speicheranwendungen gleich mit“, sagte Pfluger.

Beim RRAM-Speicher von 4DS, Inc. handelt es sich um einen nichtflüchtigen Speicher hoher Kapazität mit kurzen, unter 5 ns gemessenen Schaltzeiten und einer Lebensdauer von 1 Milliarde Schreib-/Lesezyklen. RRAM verfügt über das Potenzial, der Spitzenreiter unter den Speichertechnologien zu werden. RRAM benötigt einen niedrigeren Programmierstrom als PRAM oder MRAM, ohne dass die Programmierleistung, Speicherfähigkeit oder Dauerhaltbarkeit darunter leidet. Im Vergleich zu PRAM kann RRAM schneller getaktet werden und hat im Vergleich zu MRAM eine einfachere und kleinere Zellstruktur (MRAM = 16 F-Quadrat, 4DS = 4 F-Quadrat). Im Vergleich zu FLASH- und Racetrack-Speicher benötigt RRAM niedrigere Spannungen und Ströme und kann somit in stromsparenden Anwendungen eingesetzt werden.

Informationen zu 4DS, Inc.

4DS, Inc. ist ein im Silicon Valley ansässiger Hersteller nichtflüchtiger Halbleiterspeicher. 4DS, Inc. stellt hochleistungsfähige Speicherprodukte der nächsten Generation mit hoher Speicherkapazität und niedrigen Kosten her. 4DS hat ein neues, kostengünstiges Verfahren für die Massenproduktion entwickelt. Der revolutionäre RRAM-Speicher von 4DS, Inc. wird mithilfe eines firmeneigenen Verfahrens hergestellt, das sich sehr leicht in vorhandene Halbleiteranlagen integrieren lässt.

4DS, Inc. ist ein in privater Hand befindliches, in Fremont, Kalifornien, ansässiges US-amerikanisches Unternehmen und Tochtergesellschaft des australischen Unternehmens 4D-S Pty Ltd. Für weitergehende Informationen besuchen Sie bitte die Website unter www.4-D-S.com.

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  • Ansprechpartner:
    Kurt Pfluger
    4DS, Inc.
    Tel.: 408/219/6490
    E-Mail: kurt@4-d-s.com