SOURCE: RFaxis

RFaxis

22 juin 2011 12h03 HE

RFaxis dévoile son appareil 28nm CMOS tout-en-un à bandes multiples et à modes multiples, le Nano-RFeIC™ dans le cadre de la Conférence IWPC organisée par Intel Mobile Communications

RFaxis tire profit de son architecture novatrice, en attente de brevet, pour dévoiler le saint des saints en matière d'intégration frontale RF complète pour la connectivité sans fil et les appareils mobiles

IRVINE, CA--(Marketwire - Jun 22, 2011) - RFaxis, un constructeur de semi-conducteurs sans usine, axé sur la nouvelle génération de solutions RF pour les marchés de la connectivité sans fil et du cellulaire, a dévoilé aujourd’hui son nouveau circuit intégré par l’avant RF à bandes multiples et à modes multiples28nm CMOSde silicone (RFeIC(TM)) dans le cadre de la Conférence IWPC sur la nouvelle génération d'architectures de plateforme d'appareils mobiles, organisée par le groupe Intel Mobile Communications. Ce nouveau produit de nœud submicronique, baptisé Nano-RFeIC(TM), est à processus de géométrie agnostique, et peut ainsi être mis en œuvre et fabriqué sur des nœuds 32nm, 40/45nm, 55/65nm et autres nœuds CMOS submicroniques commercialisables.

" Berkana Wireless (acquis par Qualcomm) a indiqué que l’intégration des fonctions radio et bande de base d’une matrice de silicone CMOS monolithique est ce qu'on appelle le prétendu saint des saints de l'intégration ", souligne le chef de l'exploitation Hal Hikita. " Malheureusement, alors que la loi de Moore entraîne la conception des éléments numériques vers des dimensions de plus en plus petites, ceci soulève des problèmes bien tangibles pour ceux qui ont intégré les composantes RF dans les trans-récepteurs et les bandes de base. Il est évident qu'il faut adopter une autre approche novatrice au RF. "

Le Dr Oleksandr Gorbachov, directeur technique de RFaxis, affirme pour sa part que, " d’après Hal, RFaxis fournit cette approche novatrice au RF, une approche holistique et ajustable pour les puces ac-cessoires autonomes RFeIC(TM), ou l’intégration frontale RF complète stratégique avec des trans-récepteurs et des bandes de base. Particulièrement, l’approche RFaxis empêche le besoin de circuits de prédistorsion, évite les survoltages et offre une fonction d’amplification réellement linéaire. Notre nouveau Nano-RFeIC(TM) 28nm est conçu pour des bandes de fréquence de 2.4GHz et de 5.0GHz pour soutenir des opérations WLAN et BlueTooth simultanées. Ce Nano-RFeIC(TM) à puce unique et à matrice unique est assortie d’amplificateurs de puissance (PA) linéaires haute efficacité qui fournissent une alimentation EVM de pointe pour les opérations de transmission, d’amplificateurs à faible bruit (LNA) pour une haute sensibilité à la réception, des circuits de commutation (TX/RX, commutation de mode et de bande, etc.), détection d’alimentation, de découpleurs directionnels vrais, de filtres de coexistence et d’harmonie, d'adaptateurs et de circuits de contrôle logique CMOS. "

Le président et directeur de l’exploitation de RFaxis, Mike Neshat, conclue : " Après avoir démontré la polyvalence de nos innovations de silicone en offrant RFeICs(TM) pour une vaste gamme d'applications, nous pouvons désormais, sans peine, transférer notre RFeICs(TM) aux nœuds de nanotraitement. En choisissant le nœud de traitement 28nm CMOS, nous pouvons aider l’écosystème à atténuer ses problèmes de RF actuels et entrer dans une nouvelle génération d’appareils mobiles à très faible puissance, tels que les téléphones intelligents, les tablettes électroniques, les appareils Internet mobiles (MID), ainsi que des appareils côté serveur, tels que des équipements des locaux d'abonné (CPE). Tandis que nous accélérons la transformation du jeu frontal RF vers une activité très rentable, nous éliminons les obstacles qui affectent la synchronisation des RF et des innovations numériques. Comme nos produits répondent déjà aux besoins des entreprises de boîtier-système (SiP), nos produits Nano-RFeIC(TM) répondront également aux besoins de ces joueurs du domaine des SiP. De plus, nos produits Nano-RFeIC(TM) comblent désormais complètement le vide en matière d'entreprises de puces-systèmes observé dans le domaine des RF. Nous présenterons notre Nano-RFeIC(TM) à nos partenaires stratégiques au quatrième trimestre de 2011. "

Pour de plus amples renseignements sur les défis relatifs à l’intégration frontale des RF aux technolo-gies CMOS à nano-échelle, et sur la façon dont RFaxis permet une progression, veuillez consulter le dernier document technique de RFaxis, " Challenges and Path Forward for RF Front-end Integration in Nano-Scale CMOS for Wireless Communications, " sur www.rfaxis.com/downloads.

À propos de RFaxis, Inc.
RFaxis, Inc., basée à Irvine, en Californie, est spécialisée dans la conception et le développement de solutions de semi-conducteurs RF et d'antennes intégrées. Avec ses technologies en instance de brevet, la société ouvre la voie à la prochaine génération de solutions sans fil conçues pour les marchés pesant plusieurs milliards de dollars du WLAN, du 802.11n/MIMO, du ZigBee, du WiMAX, du Bluetooth, de la vidéo sans fil et de la téléphonie cellulaire. RFaxis, qui combine la technologie silicium CMOS avec son approche novatrice et sa conception personnelle des circuits, est le créateur du premier circuit intégré frontal RF (RFeIC) au monde. Plus d'informations sont disponibles à l'adresse : www.rfaxis.com.

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