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RFaxis

June 21, 2011 08:30 ET

RFaxis lança 28nm CMOS All-in-One Multi-Band/Multi-Mode Nano-RFeIC™ na IWPC Conference patrocinada pela Intel Mobile Communications

RFaxis utiliza sua arquitetura inovadora de patente pendente para habilitar a integração 'sagrada' de RF Front-End da conectividade sem fio e dispositivos de mobilidade

IRVINE, CA--(Marketwire - Jun 21, 2011) - A RFaxis, uma empresa de semicondutores sem fábrica concentrada em soluções de RF inovadoras da próxima geração para os mercados de conectividade e mobilidade sem fio, lançou hoje o 28nm CMOSsiliconmulti-band/multi-modeRF Front-end Integrated Circuit (RFeIC(TM)) na IWPC Conference on Next Generation Mobile Device Platform Architectures (Conferência da IWPC sobre Arquiteturas de Plataforma de Dispositivos Móveis da Próxima Geração), hospedada pelo grupo Intel Mobile Communications. Este novo produto de nó profundo de submícron, chamado de Nano-RFeIC(TM), é agnóstico de geometria de processo e pode ser implementado e fabricado em 32nm, 40/45nm, 55/65nm e outros nós CMOS de submícron viável comercialmente.

"A Berkana Wireless (adquirida da Qualcomm) disse que a integração das funções de rádio e de banda básica em uma matriz de silício CMOS monolítica é considerada uma integração sagrada", comentou Hal Hikita, COO. "Infelizmente, enquanto a lei de Moore exige que os componentes digitais tenham geometrias de processo cada vez menores, também eleva os desafios que integraram os componentes de RF integrados com os transceptores e bandas básicas. É obviamente necessária uma abordagem RF inovadora diferente".

O Dr. Oleksandr Gorbachov, CTO da RFaxis, continuou: "Confirmando Hal, a RFaxis proporciona esta abordagem de RF inovadora que é completa e escalonável para chips RFeIC(TM) companheiros independentes, ou uma integração RF Front-end estratégica completa com transceptores e bandas básicas. Mais especificamente, a abordagem da RFaxis parte do princípio da necessidade de circuitos pré-distorções, evita quedas de tensão, e traz uma funcionalidade de amplificação verdadeiramente linear. O nosso 28nm Nano-RFeIC(TM) foi projetado para bandas de frequências de 2.4GHz e 5.0GHz com suporte para operações WLAN e Bluetooth. Este Nano-RFeIC(TM) de chip/molde único vem completo com amplificadores de energia (PA) linear altamente eficientes completos que proporcionam energia EVM avançada para operações de transmissão, amplificadores de baixo ruído (LNA) para alta sensibilidade de recepção, circuito de switch (TX/RX, modo e banda de switch, etc.), detecção de energia, desconexão verdadeiramente direcional, filtros de coexistência e harmônicos, correspondência de impedância e circuitos de controle lógico CMOS".

Mike Neshat, chairman e CEO da RFaxis, conclui: "Após comprovarmos a versatilidade das nossas inovações de silício com a oferta de RFeICs(TM) para diversos tipos de aplicativos, agora podemos facilmente adaptar nossos RFeICs(TM) para nós de processo de escala nano. Com a seleção do nó de processo 28nm CMOS, podemos ajudar o ecossistema a reduzir os desafios de RF atuais e trazer uma nova geração de dispositivos de consumo ultra-baixo de energia como smartphones, tablet PCs, dispositivos de Internet móvel (MID), bem como dispositivos de servidor, como equipamento no local do consumidor (CPE). Com a entrada do RF Front-end em um negócio de alta margem eliminamos as barreiras que o impacto da sincronização do RF e das inovações digitais. Pelo fato dos nossos produtos já atenderem a demanda das empresas de system-in-package (SiP), nossos produtos Nano-RFeIC(TM) atenderão estas empresas SiP. Além disso, nossos produtos Nano-RFeIC(TM) agora eliminam a diferença do RF para as empresas do system-on-chip (SoC). Estaremos apresentando o nosso Nano-RFeIC(TM) para os nosso parceiros estratégicos no quarto trimestre de 2011".

Para mais informação sobre os desafios da integração de RF Front-end com tecnologias CMOS com escala nano, e como a RFaxis viabiliza o caminho futuro, acesse o white paper mais recente da RFaxis: "Challenges and Path Forward for RF Front-end Integration in Nano-Scale CMOS for Wireless Communications" (Desafios e futuro da integração de RF Front-end em CMOS de escala nano para as comunicações sem fio) no www.rfaxis.com/downloads.

RFaxis, Inc.
RFaxis, Inc., de Irvine, Califórnia, é especializada no design e desenvolvimento de soluções de semicondutores e de antenas RF integradas. Com suas tecnologias de patente pendente, a empresa é líder em soluções sem fio da próxima geração criadas para os mercados milionários de WLAN, 802.11n/MIMO, ZigBee, WiMAX, Bluetooth, vídeo sem fio e telefone celular. Aproveitando a tecnologia de silício CMOS juntamente com a sua própria abordagem inovadora e design de circuito, a RFaxis é a criadora do primeiro RF Front-end Integrated Circuit (RFeIC(TM)). Para mais informação, acesse: www.rfaxis.com.

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