SOURCE: RFaxis

RFaxis

June 21, 2011 12:07 ET

RFaxis revela su Nano-RFeIC™ multibanda/multimodo integral CMOS de 28nm en la Conferencia del IWPC patrocinada por Intel Mobile Communications

RFaxis aprovecha su innovadora arquitectura con patente en trámite para posibilitar el “Santo Grial” de la completa integración del Front-End RF para dispositivos de movilidad y conectividad inalámbrica

IRVINE, CA--(Marketwire - Jun 21, 2011) - RFaxis, una compañía de semiconductores sin fábrica que se especializa en soluciones RF innovadoras de última generación para los mercados de conectividad inalámbrica y movilidad celular, reveló hoy su nuevo Circuito integrado para Front-End RF multibanda/multimodo de silicio CMOS de 28nm (RFeIC(TM)) en la Conferencia del IWPC sobre arquitecturas de plataforma para dispositivos móviles de última generación, organizada por el grupo Intel Mobile Communications. Este nuevo producto de nodo submicrónico profundo, que lleva la marca Nano-RFeIC(TM), es agnóstico de la geometría de proceso, y por lo tanto, se puede implementar y fabricar en nodos de 32nm, 40/45nm, 55/65nm y otros nodos CMOS submicrónicos comercialmente viables.

"Berkana Wireless (adquirida por Qualcomm) indicó que la integración de las funciones de radio y banda base en una matriz de silicio CMOS monolítica es considerada el Santo Grial de la integración", comentó Hal Hikita, director de operaciones. "Lamentablemente, si bien la ley de Moore impulsa el diseño de componentes digitales hacia geometrías de proceso cada vez más pequeñas, esto plantea desafíos claros y actuales para aquellos que han integrado los componentes de RF con transceptores y bandas base. Es evidente que se necesita un enfoque diferente e innovador de RF".

El Dr. Oleksandr Gorbachov, director técnico de RFaxis, continúa, "En cuanto a lo que dice Hal, RFaxis ofrece este enfoque innovador de RF que es integral y escalable para ambos chips RFeIC(TM) compañeros independientes, o integración estratégica completa del Front-end RF con transceptores y bandas base. Específicamente, el enfoque de RFaxis evita la necesidad de circuitos de predistorsión, evita tensiones disruptivas y produce una funcionalidad de amplificación realmente lineal. Nuestro nuevo Nano-RFeIC(TM) de 28nm está diseñado para bandas de frecuencia de 2.4GHz y 5.0GHz para soportar operaciones simultáneas de WLAN y Bluetooth. Este Nano-RFeIC(TM) de un único chip/ matriz viene con amplificadores de potencia lineal de alta eficiencia (PA) que ofrecen potencia EVM de avanzada para operaciones de transmisión, amplificadores de bajo ruido (LNA) para alta sensibilidad de recepción, circuitos de conmutación (TX/RX, conmutación de modo y banda, etc.), detección de potencia, verdaderos desacopladores direccionales, filtros de coexistencia y armónicos, adaptación de impedancia y circuitos de control lógico CMOS".

Mike Neshat, presidente y CEO de RFaxis, concluye: "Después de haber probado con éxito la versatilidad de nuestras innovaciones de silicio mediante la entrega de RFeIC(TM) para una amplia variedad de aplicaciones, ahora podemos conectar sin esfuerzo nuestros RFeIC(TM) a los nodos de proceso a escala nano. Al seleccionar el nodo de proceso CMOS de 28nm, podemos ayudar al ecosistema a mitigar sus retos actuales de RF e introducir una nueva generación de dispositivos móviles de ultra baja potencia como teléfonos inteligentes, tabletas, dispositivos de Internet móvil (MID), así como dispositivos del lado del servidor como equipos de las instalaciones del consumidor (CPE). A medida que aceleramos la transformación del juego de Front-end RF en un negocio de alto margen, estamos eliminando las barreras que afectan a la sincronización de RF y las innovaciones digitales. Debido a que nuestros productos actuales ya cumplen con las demandas de las compañías de sistema en un paquete (SiP), nuestros productos Nano-RFeIC(TM) también van a satisfacer a estos jugadores SiP. Por otra parte, nuestros productos Nano-RFeIC(TM) ahora salvan completamente la brecha de RF para las compañías de sistemas en un chip (SoC). Realizaremos un muestreo del Nano-RFeIC(TM) con nuestros socios estratégicos en el cuarto trimestre de 2011".

Para obtener más información acerca de los retos que plantea la integración de Front-End RF en tecnologías CMOS a escala nano, y cómo RFaxis posibilita continuar avanzando hacia adelante, vea el último documento de RFaxis , "Challenges and Path Forward for RF Front-end Integration in Nano-Scale CMOS for Wireless Communications", en www.rfaxis.com/downloads.

Acerca de RFaxis, Inc.
RFaxis, Inc., con sede en Irvine, California, se especializa en el diseño y desarrollo de semiconductores de RF y soluciones integradas de antenas. Debido a sus tecnologías, cuyas patentes están en trámites, la empresa se encuentra a la vanguardia en soluciones inalámbricas de última generación diseñadas para los mercados multimillonarios de WLAN, 802.11n/MIMO, ZigBee, WiMAX, Bluetooth, video inalámbrico y celulares. Aprovechando la tecnología de silicio CMOS y su propio enfoque innovador y diseño de circuitos, RFaxis es el creador del primer circuito integrado frontal para RF (RFeIC(TM)) del mundo. Encontrará información adicional en: www.rfaxis.com.

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